RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
74
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
74
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1779
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link