SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 15.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,076.1 left arrow 13.0
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 59
    Intorno -103% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 6400
    Intorno 3 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,723.5 left arrow 15.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,076.1 left arrow 13.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    741 left arrow 2854
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti