RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2854
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link