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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
62
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
23
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
3171
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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