RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
62
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
34
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
2803
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link