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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
62
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
34
读取速度,GB/s
4,216.7
15.7
写入速度,GB/s
1,658.4
11.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2803
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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