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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
18.9
写入速度,GB/s
2,622.0
14.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3418
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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