RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
60
Intorno -161% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
23
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
17.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
4000
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link