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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
60
Intorno -82% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
33
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3238
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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