RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
60
Intorno -173% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
22
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3038
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link