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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
60
Intorno -33% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
45
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3233
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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