RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
60
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
2,381.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
37
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2213
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link