RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,381.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
46
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2632
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link