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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
60
Intorno -216% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
19
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3169
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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