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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
60
Intorno -58% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
38
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2829
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
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