Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

5 16.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,381.6 13.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

33 60

Intorno -82% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

925 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns