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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
60
Intorno -161% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
23
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
4095
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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