RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
3023
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link