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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3023
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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