RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8,883.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
24
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2821
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link