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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
44
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8,883.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
38
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2110
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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