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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3611
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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