RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3611
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link