RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
44
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
38
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
3147
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link