SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 21.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,303.7 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 117
    Intorno -216% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    117 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,094.8 left arrow 21.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,303.7 left arrow 14.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    784 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti