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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
2370
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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