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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
75
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
75
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
1735
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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