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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
68
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
48
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3047
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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