RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
68
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
34
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
2237
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link