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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
68
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
33
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
2824
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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