RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
63
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
53
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
2319
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link