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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
63
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
53
读取速度,GB/s
3,895.6
10.1
写入速度,GB/s
1,583.7
8.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2319
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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