RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
67
70
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
3,071.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
67
Velocità di lettura, GB/s
4,372.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
3,071.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2042
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link