RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Confronto
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
3,071.4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
70
Intorno -218% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
22
Velocità di lettura, GB/s
4,372.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
3,071.4
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3182
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link