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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
39
Velocità di lettura, GB/s
9.4
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2221
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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