RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
9.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2808
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link