Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Gesamtnote
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 37
    Rund um 24% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 9.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 5.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.5 left arrow 12.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1453 left arrow 2808
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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