RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
67
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,781.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
67
Velocità di lettura, GB/s
4,269.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,781.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
618
2042
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link