RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
67
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2042
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link