RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2544
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link