RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
52
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3714
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link