RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
63
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
23
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2495
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link