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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
63
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
62
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
1808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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