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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
63
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
62
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
1808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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