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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
31
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
22
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2862
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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