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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
36
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2690
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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