RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
46
Velocità di lettura, GB/s
11.7
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2469
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link