RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Confronto
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
97
Intorno 73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
97
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2270
1479
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link