RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
94
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
36
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3169
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link