RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
94
Autour de -161% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
36
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3169
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link